sti locos
【先前技術】.在目前半導體製程中,一般採用區域氧化法(localizedoxidationisolation,LOCOS)或是淺溝隔離(shallowtrenchisolation,STI)方法來.進行元件之間的隔離 ...,淺溝槽絕緣(STI).▫LOCOS和PBL運作地很好當圖形尺寸>0.5μm時.▫當圖形尺寸
淺槽隔離_百度百科
- shallow trench isolation解釋
- usg半導體
- sti divot formation
- sti locos
- sti divot formation
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- deep trench isolation
- shallow trench isolation解釋
- locos sti比較
- corner rounding半導體
- sti locos
- shallow trench isolation解釋
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- shallow trench isolation中文
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- sti locos
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- pad oxide半導體
- usg半導體
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- 淺溝槽隔離
- shallow trench isolation半導體
- shallow trench isolation解釋
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽,並在槽中填充澱積氧化物, ...
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